晶閘管伏安特性測(cè)試儀

簡(jiǎn)要描述：晶閘管伏安特性測(cè)試儀DBC-023B

用于測(cè)試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管的如下參數(shù)：
◇ 正向斷態(tài)電壓（VDRM）；
◇ 反向阻斷電壓（VRRM）；
◇ 正向斷態(tài)漏電流（IDRM）；
◇ 反向阻斷漏電流（IRRM）；

產(chǎn)品型號(hào)： DBC-023B

所屬分類：科研實(shí)驗(yàn)

更新時(shí)間：2024-10-03

廠商性質(zhì)：其他

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晶閘管伏安特性測(cè)試儀型號(hào)：DBC-023B

晶閘管伏安特性測(cè)試儀

1 概述
本儀器是晶閘管斷態(tài)電壓(VDSM、VDRM)及斷態(tài)電流(IDSM、IDRM)、反向電壓(VRSM、VRRM)及反向電流(IRSM、IRRM)的專用測(cè)試設(shè)備。適用于各種晶閘管、整流管及晶閘管、整流管模塊的參數(shù)測(cè)試。
本儀器設(shè)計(jì)先進(jìn)，操作簡(jiǎn)便，采用數(shù)字表顯示測(cè)試結(jié)果，具有精度高，重復(fù)性好，對(duì)被測(cè)器件自動(dòng)保護(hù)等特點(diǎn)。其測(cè)試原理符合GB4024-83標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠和使用單位常用檢測(cè)設(shè)備。
2 技術(shù)參數(shù)
2.1 斷態(tài)及反向電壓(VDRM，VRRM)測(cè)量范圍：
DBC-023A 0—3000V
DBC-023B 0—6000V
DBC-023C 0—9000V
2.2 電壓分辨率：1V
2.3 電流(IDRM，IRRM)測(cè)量范圍：
DBC-023A 0—99mA
DBC-023B(C) 0—199mA
2.4 斷態(tài)及反向電流分辨率：
DBC-023A(B) 0.01mA
DBC-023C 0.1mA
2.5 保護(hù)電流設(shè)定范圍：
DBC-023A 0—99mA
DBC-023B(C) 0—199mA
2.6 示波器連接端子輸出 X 1：1000V Y 50mV：1mA
2.7 工作條件
電源電壓: AC 220V±10% 50HZ
工作溫度：0—+40℃
2.8 功耗：小于1KVA
2.9 重量：DBC-023A 約16Kg
DBC-023B 約18Kg
DBC-023C 約50Kg
2.10 外型尺寸：DBC-023A (B) 440×440×150mm
DBC-023C 600×600×1000mm

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